NJM8512BR-TE2
NJM8512BR-TE2
NJM8512BR-TE2
Part Number:
NJM8512BR-TE2
Description:
IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8VSP
Encapsulation:
Package:
Tape & Reel (TR)
Quantity:
0
RoHS Status:
Supported
Share:
RFQ
Stock
MOQ: 2000
Qty
Price
Total
2000+
$1.53
$3060
4000+
$1.49
$5960
6000+
$1.48
$8880
Статус детали
Active
Рабочая температура
-40°C ~ 125°C
Количество схем
2
Тип вывода
-
Тип монтажа
Surface Mount
Напряжение - Входное смещение
80 µV
Тип усилителя
J-FET
Напряжение - Максимальный диапазон питания
32 V
Ток - Питание
2.6mA
Напряжение питания - Диапазон (Мин.)
9 V
Скорость нарастания
20V/µs
Ток - Входное смещение
25 pA
Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания
7 MHz
Корпус
8-LSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Поставщик Устройство Корпус
8-VSP
Latest Products
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (