LT1122BCN8#PBF
LT1122BCN8#PBF
LT1122BCN8#PBF LT1122BCN8#PBF
Part Number:
LT1122BCN8#PBF
Manufacturer:
Description:
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP
Encapsulation:
Package:
Bulk
Quantity:
124
RoHS Status:
Supported
Share:
RFQ
Stock
MOQ: 56
Qty
Price
Total
56+
$5.96
$333.76
Рабочая температура
-40°C ~ 85°C
Тип монтажа
Through Hole
Корпус
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Статус детали
Active
Тип вывода
-
Напряжение - Максимальный диапазон питания
36 V
Поставщик Устройство Корпус
8-PDIP
Количество схем
1
Тип усилителя
J-FET
Напряжение питания - Диапазон (Мин.)
10 V
Ток - Входное смещение
10 pA
Напряжение - Входное смещение
120 µV
Ток - Питание
7.5mA
Скорость нарастания
80V/µs
Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания
14 MHz
Latest Products
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (