INA214BIRSWT
INA214BIRSWT
INA214BIRSWT
Part Number:
INA214BIRSWT
Manufacturer:
Description:
INA214 - 26V, BI-DIRECTIONAL, ZE
Encapsulation:
Package:
Bulk
Quantity:
16235
RoHS Status:
Supported
Share:
RFQ
Stock
MOQ: 330
Qty
Price
Total
330+
$1
$330
Статус детали
Active
Рабочая температура
-40°C ~ 125°C
Тип монтажа
Surface Mount
Количество схем
1
Тип вывода
Single-Ended
Скорость нарастания
0.4V/µs
Напряжение питания - Диапазон (Мин.)
2.7 V
Напряжение - Максимальный диапазон питания
26 V
Напряжение - Входное смещение
1 µV
Тип усилителя
Current Sense
Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания
14 kHz
Ток - Питание
65µA
Корпус
10-UFQFN
Поставщик Устройство Корпус
10-UQFN (1.8x1.4)
Ток - Входное смещение
28 µA
Latest Products
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (