MUSES8920AE-TE1
MUSES8920AE-TE1
MUSES8920AE-TE1
Part Number:
MUSES8920AE-TE1
Description:
HIGH-QUALITY SOUND, J-FET INPUT
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
0
RoHS Status:
Supported
Share:
PDF:
RFQ
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$10.07
$10.07
10+
$7.83
$78.3
25+
$7.27
$181.75
100+
$6.66
$666
250+
$6.36
$1590
500+
$6.19
$3095
1000+
$6.04
$6040
حالة القطعة
Active
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 85°C (TA)
عدد الدوائر
2
نوع التثبيت
Surface Mount
الحزمة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
الصف
-
التأهيل
-
نوع الإخراج باللغة العربية
Single-Ended
الجهد - إزاحة الإدخال
800 µV
التيار - انحياز الإدخال
5 pA
منتج كسب عرض النطاق
11 MHz
الجهد - نطاق الإمداد (الحد الأقصى)
34 V
الجهد - نطاق الإمداد (الحد الأدنى)
7 V
التيار - الإمداد
4.5mA (x2 Channels)
معدل الانحدار
25V/µs
المورد الجهاز الحزمة
8-EMP
نوع المضخم
Standard (General Purpose)
Latest Products
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (