OPA858IDSGT
OPA858IDSGT
OPA858IDSGT
Part Number:
OPA858IDSGT
Manufacturer:
Description:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8WSON
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
2211
RoHS Status:
Supported
Share:
PDF:
RFQ
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$7.23
$7.23
10+
$5.56
$55.6
25+
$5.14
$128.5
100+
$4.68
$468
Статус детали
Active
Рабочая температура
-40°C ~ 125°C
Тип монтажа
Surface Mount
Количество схем
1
Тип вывода
Single-Ended
Тип усилителя
J-FET
Напряжение - Входное смещение
800 µV
Напряжение - Максимальный диапазон питания
5.25 V
Скорость нарастания
2000V/µs
Ток - Питание
21mA
Корпус
8-WFDFN Exposed Pad
Напряжение питания - Диапазон (Мин.)
3.3 V
Поставщик Устройство Корпус
8-WSON (2x2)
Ток - Выход / Канал
105 mA
-3 дБ полоса пропускания
1.2 GHz
Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания
5.5 GHz
Ток - Входное смещение
0.4 pA
Latest Products
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (