LMV358IDR2G
LMV358IDR2G
LMV358IDR2G
Part Number:
LMV358IDR2G
Manufacturer:
Description:
LV R2R DUAL OP AMP EXTENDED TEMP
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
2100
RoHS Status:
Supported
Share:
RFQ
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$0.52
$0.52
10+
$0.36
$3.6
25+
$0.32
$8
100+
$0.28
$28
250+
$0.26
$65
500+
$0.25
$125
1000+
$0.24
$240
Статус детали
Active
Рабочая температура
-40°C ~ 85°C (TA)
Количество схем
2
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип усилителя
CMOS
Тип вывода
Rail-to-Rail
Поставщик Устройство Корпус
8-SOIC
Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания
1 MHz
Скорость нарастания
1V/µs
Напряжение питания - Диапазон (Мин.)
2.7 V
Напряжение - Входное смещение
1.7 mV
Ток - Входное смещение
1 nA
Напряжение - Максимальный диапазон питания
5.5 V
Ток - Выход / Канал
160 mA
Ток - Питание
210µA (x2 Channels)
Latest Products
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (