BUF802IRGTR
BUF802IRGTR
BUF802IRGTR
Part Number:
BUF802IRGTR
Manufacturer:
Description:
WIDE-BANDWIDTH, 2.3-NV/HZ, JFET
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
2411
RoHS Status:
Supported
Share:
PDF:
RFQ
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$6.56
$6.56
10+
$5.03
$50.3
25+
$4.65
$116.25
100+
$4.23
$423
250+
$4.19
$1047.5
Статус детали
Active
Тип вывода
Push-Pull
Рабочая температура
-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа
Surface Mount
Количество схем
1
Тип усилителя
J-FET
Ток - Входное смещение
7 pA
Напряжение питания - Диапазон (Мин.)
9 V
Скорость нарастания
7000V/µs
Корпус
16-VFQFN Exposed Pad
Поставщик Устройство Корпус
16-VQFN (3x3)
Ток - Питание
34mA
Напряжение - Максимальный диапазон питания
13 V
-3 дБ полоса пропускания
3.1 GHz
Напряжение - Входное смещение
600 mV
Latest Products
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (