TSB582IQ2T
TSB582IQ2T
TSB582IQ2T
Part Number:
TSB582IQ2T
Manufacturer:
Description:
HIGH OUTPUT CURRENT WITH THERMAL
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
2552
RoHS Status:
Supported
Share:
PDF:
RFQ
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$3.29
$3.29
10+
$2.46
$24.6
25+
$2.25
$56.25
100+
$2.03
$203
250+
$1.92
$480
500+
$1.85
$925
1000+
$1.8
$1800
حالة القطعة
Active
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 125°C
عدد الدوائر
2
الجهد - نطاق الإمداد (الحد الأقصى)
36 V
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع المضخم
CMOS
نوع الإخراج باللغة العربية
Rail-to-Rail
الجهد - نطاق الإمداد (الحد الأدنى)
2 V
التيار - انحياز الإدخال
2 nA
التيار - الإمداد
2.5mA (x2 Channels)
معدل الانحدار
2V/µs
التيار - الإخراج / القناة
200 mA
منتج كسب عرض النطاق
3.1 MHz
المورد الجهاز الحزمة
8-DFN (3x3)
الحزمة / العلبة
8-WDFN Exposed Pad
الجهد - إزاحة الإدخال
2.4 mV
Latest Products
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (